خبر جدید | توسعه حافظه HBM3E برای نسل آینده هوش مصنوعی توسط SK hynix – پردازش 230 فیلم FHD در یک ثانیه | مایفون مگ

واحد خبر مایفون مگ : کمپانی SK hynix روز دوشنبه 21 آگوست 2023 (30 مرداد 1402) از جدیدترین نوآوری خود در زمینه حافظهu200cهای DRAM رونمایی کرد. این محصول حافظه پرسرعت HBM3E بوده و به طور اختصاصی برای کارکردهای هوش مصنوعی طراحی شده است. اعلام این خبر از سوی SK hynix نشان از برتری این کمپانی کرهu200cای در طراحی و تولید حافظهu200cهای با عملکرد فوقu200cالعاده بالا دارد. به گفته شرکت سازنده، نمونهu200cهای آزمایشی این تراشه به منظور بررسی و ارزیابی به برخی مشتریان فرستاده شده و تولید انبوه آن در نیمه نخست سال 2024 آغاز خواهد شد. گفتنیu200cست از همین حالا کمپانیu200cهای متعددی (از جمله Nvidia) برای استفاده از HBM3E در سختu200cافزارهای خود اعلام آمادگی کردهu200cاند.

HBM (کوتاهu200cشده High Bandwidth Memory به معنای حافظه با پهنای باند بالا) به مجموعهu200cای از چندین تراشه DRAM اشاره دارد که به صورت عمودی روی هم چیده شده و سرعت پردازش داده در آنها به شکل قابل ملاحظهu200cای افزایش یافته است. در حقیقت این نوع حافظه در سیر تکاملی خود از نسل اول HBM به نسل پنجم یعنی HBM3E، پیشرفتu200cهای زیادی را تجربه کرده است. اگر دقیقu200cتر بگوییم، HBM3E در واقع ورژن تکاملu200cیافته نسل پیشین یعنی HBM3 به شمار میu200cرود.

کمپانی SK hynix که سابقهu200cu200cای طولانی در تولید حافظهu200cهای HBM دارد، در خصوص رونمایی اخیر میu200cگوید: «به عنوان تولیدکننده انحصاری HBM3، توسعه برترین حافظه HBM3E نشان از تخصص و تعهد بالای ما در راهبری بازار حافظه هوش مصنوعی دارد.» لازم به ذکر است، سرعت پردازش داده در حافظه HBM3E به 1.15 ترابایت در ثانیه میu200cرسد. برای درک بهتر این سرعت، SK hynix مدعی شده که این حافظه میu200cتواند بیش از 230 فیلم فول اچu200cدی (که هر کدام حجمی برابر با 5 گیگابایت دارند) را تنها در 1 ثانیه پردازش کند. البته سوای سرعت، این نوع حافظه امتیازات دیگری نیز دارد.

کمپانی SK hynix در توسعه حافظه جدید HBM3E، از تکنولوژی پیشرفته MR-MUF بهره گرفته تا به این وسیله بتواند مکانیسم دفع حرارت را تا 10 درصد نسبت به نسل قبلی ارتقاء دهد. البته تکنولوژی MR-MUF علاوه بر بهبود دفع حرارت به کاهش ضخامت تراشه نیز کمک خواهد کرد. نکته دیگر آنکه حافظه HBM3E به گونهu200cای طراحی شده که با سیستمu200cهای قبلی سازگاری داشته باشد. به این ترتیب، مشتریان به راحتی میu200cتوانند حافظه HBM3E را با سیستمu200cهای مبتنی بر HBM3 یکپارچه کنند، بدون اینکه به ایجاد تغییر در ساختار یا طراحی نیاز باشد.

در حال حاضر، کمپانی SK hynix تنها تولیدکننده انبوه حافظهu200cهای HBM3 بوده و این امتیاز میu200cتواند شرکت را در موقعیت سودآوری بالایی قرار دهد، بهu200cویژه با تقاضای بالا برای تراشه H100 انویدیا و دیگر شتابu200cدهندهu200cهای هوش مصنوعی مولد. شکی نیست که توسعه حافظه HBM3E نقش مهمی در تحکیم جایگاه برتر SK hynix در این بازار دارد، اما نباید فراموش کنیم که SK hynix در سال آینده تنها فروشنده این نوع حافظه نخواهد بود.

ماه گذشته کمپانی آمریکایی Micron از تراشه حافظه جدیدی به نام HBM3 Gen2 پرده برداشت. سامسونگ نیز در رقابتی مستقیم با SK hynix، قرار است تولید انبوه تراشهu200cهای HBM برای هوش مصنوعی را در نیمه دوم سال 2023 آغاز کند. آمارها نشان میu200cدهد در سال 2022 کمپانی SK hynix نیمی از بازار HBM را در اختیار خود داشته و سامسونگ و Micron با 40 و 10 درصد از سهم این بازار به ترتیب در رتبهu200cهای دوم و سوم قرار گرفتهu200cاند. در حقیقت، به نظر میu200cرسد سرعت توسعه هر سه کمپانی در حوزه HBM به قدری زیاد بوده که JEDEC (سازمان تعیینu200cکننده استانداردهای تکنولوژیu200cهای DRAM) هنوز مشخصات نهایی این حافظه جدید را منتشر نکرده است. ناگفته نماند، بازار HBM تنها 1 درصد از کل بازار DRAM را تشکیل میu200cدهد.